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5569007

FQD7P06TM_F080

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Spezifikation

Artikelnummer

FQD7P06TM_F080
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQD7P06TM_F080.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

451 mOhm @ 2.7A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.4A (Tc)

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Das Folgende sind "FQD7P06TM_F080" -Einziper.

FQD7P20TM_F080

FQD7P20TM_F080

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7N20LTM

FQD7N20LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD8P10TF

FQD8P10TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD8P10TF_NB82052

FQD8P10TF_NB82052

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7N30TM

FQD7N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7N20TM

FQD7N20TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD8N25TF

FQD8N25TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7P06TM_NB82050

FQD7P06TM_NB82050

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7P06TM

FQD7P06TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD8P10TM

FQD8P10TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7N20LTF

FQD7N20LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7N20TF

FQD7N20TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD8P10TM_F080

FQD8P10TM_F080

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7P20TM

FQD7P20TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD7P20TF

FQD7P20TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQD7N20TM_F080

FQD7N20TM_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQD7N30TF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

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FQD7P06TF

FQD7P06TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

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FQD7N10TM

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