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FQD9N25TM-F085

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQD9N25TM-F085
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FQD9N25TM-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 55W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    FQD9N25TM-F085TR
    FQD9N25TM_F085
    FQD9N25TM_F085TR
    FQD9N25TM_F085TR-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    250V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 250V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.4A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQD7N30TF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

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FQD7N30TM

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FQD8P10TM-F085

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Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3

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FQD7P06TM_F080

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FQD7P06TM_NB82050

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK

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FQD7P20TM_F080

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Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

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FQD9N25TM-F080

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

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