FQS4410TF

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Spezifikation

Artikelnummer

FQS4410TF
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQS4410TF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Tc)

Das Folgende sind "FQS4410TF" -Einziper.

AOD508

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

FQS4900TF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

JAN2N6796U

Beschreibung: MOSFET N-CH 18-LCC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

BSC094N03S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

FQS4903TF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SUP85N03-04P-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

AOI4T60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

FQS4901TF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FDB3682

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

NTD4815NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

APT5SM170B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

DMN2550UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RFQ

IXTP88N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 88A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IRFZ46Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

STP14NF12

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 14A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

SI4464DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BSC080P03LSGAUMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

BUK761R4-30E,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

RFQ

PMPB30XPEX

Beschreibung: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RFQ

FCA76N60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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DMN2550UFA-7B

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STP14NF12

SI4464DY-T1-E3

BSC080P03LSGAUMA1

BUK761R4-30E,118

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