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593478H11A817A300W-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817A300W

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  • Artikelnummer
    H11A817A300W
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Ausgabe (max)
    70V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    200mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    2.4µs, 2.4µs
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    80% @ 5mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    160% @ 5mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
H11A617DS

H11A617DS

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11A617DW

H11A617DW

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11A817AS

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

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H11A8173SD

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H11A817A3SD

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H11A817A3S

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H11A817B

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11A817B3SD

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H11A817B3S

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H11A817B300W

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H11A817AW

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H11A817A

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H11A817

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H11A817ASD

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H11A817B300

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H11A817A300

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H11A8173S

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