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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817B

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Spezifikation

Artikelnummer

H11A817B
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11A817B.pdf
Spannung - Ausgabe (max)

70V
Spannung - Isolation

5300Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V
VCE Sätttigung (max)

200mV
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-
Supplier Device-Gehäuse

4-DIP
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

2.4µs, 2.4µs
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ausgabetyp

Transistor
Andere Namen

H11A817BQT
H11A817BQT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

260% @ 5mA
Strom - Ausgang / Kanal

50mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

50mA

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Das Folgende sind "H11A817B" -Einziper.

H11A8173S

H11A8173S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817A300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817BW

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817C

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817B3S

H11A817B3S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A8173SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817A

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817B300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817B300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817A3SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817B3SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817AW

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817BS

H11A817BS

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817BSD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817AS

H11A817AS

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817A3S

H11A817A3S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11A817ASD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11A817C300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11A817A300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11A817C300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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