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1559387H11AG1M-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11AG1M

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11AG1M
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Ausgabe (max)
    30V
  • Spannung - Isolation
    4170Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.25V
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    5µs, 5µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    100% @ 1mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
H11AG13SD

H11AG13SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AG13S

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AG1VM

H11AG1VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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H11AG1SR2M

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Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AA814AW

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11AG1W

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H11AG1300W

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H11AA814ASD

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

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H11AG1

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H11AG1S

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H11AG1SM

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H11AA814SD

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H11AG1SD

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H11AG1TVM

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Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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H11AG2300W

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H11AG2300

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H11AG1300

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H11AG2

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H11AA814S

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