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H11AG2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11AG2
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11AG2.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    30V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.5V (Max)
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    5µs, 5µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    50% @ 1mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA

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H11AG2SD

H11AG2SD

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H11AG2S

H11AG2S

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RFQ
H11AG2300

H11AG2300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
H11AG1SR2M

H11AG1SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
H11AG1SM

H11AG1SM

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RFQ
H11AG1TVM

H11AG1TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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H11AG3

H11AG3

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vorrätig
RFQ
H11AG13S

H11AG13S

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H11AG23S

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H11AG1S

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H11AG1SD

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H11AG3300W

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H11AG1W

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H11AG13SD

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H11AG1VM

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H11AG1M

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H11AG2300W

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H11AG23SD

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H11AG3300

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H11AG2W

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