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644232H11B3W-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11B3W

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11B3W
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11B3W.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    25V
  • Spannung - Isolation
    5300Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.35V
  • VCE Sätttigung (max)
    1V
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    25µs, 18µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Ausgabetyp
    Darlington with Base
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    100% @ 1mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    -
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    100mA

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H11B3S

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H11B3S1(TA)

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Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B3S1(TB)

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Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
H11B815S

H11B815S

Beschreibung: OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4SMD

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RFQ
H11B815300

H11B815300

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
H11B3SD

H11B3SD

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RFQ
H11B3S(TB)-V

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RFQ
H11B815SD

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H11B3S1(TB)-V

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H11B3S(TA)-V

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H11B815

H11B815

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H11B3S(TB)

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Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
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RFQ
H11B815300W

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H11B3S(TA)

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H11C1300

H11C1300

Beschreibung: OPTOISOLATOR 5.3KV SCR 6DIP

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H11B8153S

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H11B815W

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H11C1

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