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708670H11B815-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11B815

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11B815
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11B815.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    35V
  • Spannung - Isolation
    5000Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    1V
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    300µs, 250µs (Max)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Darlington
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Darlington Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    600% @ 1mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    7500% @ 1mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    80mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA

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H11B3S1(TA)

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H11B3S(TB)-V

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Hersteller: Everlight Electronics
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H11B3S(TB)

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H11B815300W

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H11B3S(TA)-V

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H11B8153SD

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H11C1300

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H11B815300

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H11B8153S

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H11B3SD

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

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RFQ
H11B815SD

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Beschreibung: OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4SMD

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H11B815S

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H11B3W

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Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

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H11B3S(TA)

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H11B815W

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H11B3S1(TA)-V

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H11C1

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