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HGTP10N120BN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HGTP10N120BN
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.HGTP10N120BN.pdf
    2.HGTP10N120BN.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Testbedingung
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    23ns/165ns
  • Schaltenergie
    320µJ (on), 800µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    298W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    HGTP10N120BN-ND
    HGTP10N120BNFS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    100nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    80A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    35A

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HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Beschreibung: IGBT 600V 75A 625W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Beschreibung: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Beschreibung: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

Beschreibung: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Beschreibung: IGBT 600V 75A 463W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Beschreibung: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP20N60A4

HGTP20N60A4

Beschreibung: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Beschreibung: IGBT 600V 70A 290W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

Beschreibung: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Beschreibung: IGBT 600V 63A 208W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Beschreibung: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

Beschreibung: IGBT 600V 60A 208W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Beschreibung: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Beschreibung: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D

Beschreibung: IGBT 600V 75A 463W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Beschreibung: IGBT 600V 34A 125W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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HGTP5N120BND

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Beschreibung: IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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HGTG7N60A4

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Beschreibung: IGBT 600V 34A 125W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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