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6862510HUF76633S3ST-F085-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUF76633S3ST-F085

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  • Artikelnummer
    HUF76633S3ST-F085
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HUF76633S3ST-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 39A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    183W (Tj)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    HUF76633S3ST-F085CT
    HUF76633S3ST_F085CT
    HUF76633S3ST_F085CT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1810pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 39A (Tc) 183W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    39A (Tc)

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HUF76633P3-F085

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 15A DPAK

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