HUFA75307D3S

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Spezifikation

Artikelnummer

HUFA75307D3S
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HUFA75307D3S.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

45W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "HUFA75307D3S" -Einziper.

HUFA75309T3ST

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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