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2410682ISL9R1560P2-F085-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R1560P2-F085

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  • Artikelnummer
    ISL9R1560P2-F085
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.2V @ 15A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, Stealth™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    ISL9R1560P2_F085
    ISL9R1560P2_F085-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    15A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

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ISL9R30120G2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

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ISL9N302AP3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

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ISL9R460P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

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ISL9N302AS3ST

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

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ISL9R3060P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

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ISL9R1560PF2

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Beschreibung:

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ISL9R1560G2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

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ISL9K860P3

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

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ISL9R3060G2-F085

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ISL9N303AS3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

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ISL9R1560G2-F085

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ISL9R18120G2

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ISL9R3060G2

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ISL9N302AS3

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ISL9N303AS3ST

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ISL9R1560P2

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ISL9R1560S3ST

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