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7032843ISL9R3060G2-F085-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R3060G2-F085

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ISL9R3060G2-F085
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.4V @ 30A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247-2
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, Stealth™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    45ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Andere Namen
    ISL9R3060G2-F085-ND
    ISL9R3060G2-F085OS
    ISL9R3060G2_F085
    ISL9R3060G2_F085-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247-2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    30A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R3060G2

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Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R860P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R30120G2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R8120P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R18120P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R460S3ST

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R1560G2-F085

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

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ISL9R1560P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R860PF2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R460P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R8120S3ST

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
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ISL9R1560PF2

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Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R18120S3ST

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

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ISL9R1560S3ST

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2

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ISL9R18120G2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

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ISL9V2040D3S

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Beschreibung: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

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ISL9R3060P2

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