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1504469ISL9R8120P2-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R8120P2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ISL9R8120P2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3.3V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Stealth™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    300ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    Q1563503
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    30pF @ 10V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ISL9R8120
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

Beschreibung: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Beschreibung: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Beschreibung: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9R18120G2

ISL9R18120G2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

Beschreibung: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

Beschreibung: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R8120S3ST

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

Beschreibung: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

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ISL9R860P2

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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