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4341418MJD112G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD112G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MJD112G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MJD112G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    100V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1.75W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    MJD112G-ND
    MJD112GOS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    5 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    25MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    1000 @ 2A, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    20µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    2A
  • Basisteilenummer
    MJD112

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Das Folgende sind "MJD112G" -Einziper.
MJD122-1

MJD122-1

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MJD112T4G

MJD112T4G

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD117G

MJD117G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD112RL

MJD112RL

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD112RLG

MJD112RLG

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD122-TP

MJD122-TP

Beschreibung: TRANS NPN 100V 8A DPAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MJD117RLG

MJD117RLG

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
MJD112-001

MJD112-001

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MJD112TF

MJD112TF

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD112-1G

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Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD117-1G

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Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD117-001

MJD117-001

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD117

MJD117

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MJD112-TP

MJD112-TP

Beschreibung: TRANS NPN 100V 2A DPAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MJD117TF

MJD117TF

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MJD117T4G

MJD117T4G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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