Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > MJD112T4
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3880397MJD112T4-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD112T4

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MJD112T4
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    100V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    20W
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    MJD112T4OSCT
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    25MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 20W Surface Mount DPAK
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    1000 @ 2A, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    20µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    2A
  • Basisteilenummer
    MJD112
MJD112T4G

MJD112T4G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD117T4

MJD117T4

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD117T4G

MJD117T4G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112-1G

MJD112-1G

Beschreibung:

Hersteller: ONSEMI
vorrätig
MJD112-TP

MJD112-TP

Beschreibung: TRANS NPN 100V 2A DPAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MJD117TF

MJD117TF

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112RLG

MJD112RLG

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112RL

MJD112RL

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112G

MJD112G

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD117-1G

MJD117-1G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD122-1

MJD122-1

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
MJD117

MJD117

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112-001

MJD112-001

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD117-001

MJD117-001

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD122-TP

MJD122-TP

Beschreibung: TRANS NPN 100V 8A DPAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MJD117G

MJD117G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112T4

MJD112T4

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
MJD117RLG

MJD117RLG

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD112TF

MJD112TF

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MJD117T4

MJD117T4

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden