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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > MMUN2116LT1G

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MMUN2116LT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2116LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

MMUN2116LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MMUN2116LT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

246mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

MMUN2116LT1GOSDKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

160 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MMUN21**L

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Das Folgende sind "MMUN2116LT1G" -Einziper.

MMUN2132LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2113LT3

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2134LT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2114LT3G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2136LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2112LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2113LT1

MMUN2113LT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2130LT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2114LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2112LT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2133LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2115LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2135LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2134LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2114LT1

MMUN2114LT1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2131LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MMUN2137LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2113LT3G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MMUN2113LT1G

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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