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5947897NDC652P-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDC652P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NDC652P
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NDC652P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    -20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SuperSOT™-6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.6W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    NDC652PTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 2.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.4A (Ta)

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Zahlung
Das Folgende sind "NDC652P" -Einziper.
STD2NK90Z-1

STD2NK90Z-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NDC7003P

NDC7003P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NDC7001C

NDC7001C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NDC632P

NDC632P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FL6L52060L

FL6L52060L

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A MINI6-F1

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
NDC651N

NDC651N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQA170N06

FQA170N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NDC7002N_SB9G007

NDC7002N_SB9G007

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
94-4737

94-4737

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTJ6N150

IXTJ6N150

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NDC3105LT1G

NDC3105LT1G

Beschreibung: IC RELAY DRIVER SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TK10J80E,S1E

TK10J80E,S1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
NDC3105LT1

NDC3105LT1

Beschreibung: IC RELAY DRIVER SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NDC7002N

NDC7002N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQU11P06TU

FQU11P06TU

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7492TR

IRF7492TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF6797MTR1PBF

IRF6797MTR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOT2606L

AOT2606L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A TO220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NDC631N

NDC631N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TSM018NA03CR RLG

TSM018NA03CR RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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