TK10J80E,S1E

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Spezifikation

Artikelnummer

TK10J80E,S1E
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK10J80E,S1E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3P(N)
Serie

π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen

TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 10A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "TK10J80E,S1E" -Einziper.

TK10A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK10J80E,S1E

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