NDD60N360U1-1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NDD60N360U1-1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NDD60N360U1-1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

114W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 11A (Tc) 114W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NDD60N360U1-1G" -Einziper.

NDD05N50ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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