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NDD60N550U1-1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD60N550U1-1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NDD60N550U1-1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NDD60N550U1-1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

IPAK (TO-251)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

94W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.2A (Tc)

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Das Folgende sind "NDD60N550U1-1G" -Einziper.

NDD04N50ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N900U1T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N360U1-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N550U1T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD04N50Z-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDDL01N60ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N900U1-35G

NDD60N900U1-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD03N80ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDDL01N60Z-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N900U1-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD05N50Z-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N745U1-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N745U1T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD04N60Z-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD05N50ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD04N60ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N745U1-35G

NDD60N745U1-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDD60N360U1T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NDD60N550U1-35G

NDD60N550U1-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3

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