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4747374NGTB75N60FL2WG-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB75N60FL2WG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NGTB75N60FL2WG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 75A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Testbedingung
    400V, 75A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    110ns/270ns
  • Schaltenergie
    1.5mJ (on), 1mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    80ns
  • Leistung - max
    595W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    310nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 600V 100A 595W Through Hole TO-247
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    200A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100A
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTB50N65FL2WG

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Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTB60N60SWG

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Beschreibung: IGBT 600V 120A 298W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTB50N60L2WG

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Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

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NGTB50N60S1WG

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Beschreibung: IGBT 50A 600V TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD14T65F2WP

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Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTB50N60FLWG

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Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

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NGTD13R120F2WP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

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NGTB50N60FWG

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Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
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NGTB50N65S1WG

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Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTB50N65FL2WAG

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Beschreibung: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

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NGTD13T65F2WP

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Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD13R120F2SWK

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

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NGTB75N65FL2WAG

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Beschreibung: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

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NGTB75N60SWG

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Beschreibung: IGBT 75A 600V TO-247

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NGTD14T65F2SWK

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Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTB50N60SWG

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Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

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Beschreibung: 650V/60A IGBT FSII

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