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NGTB75N65FL2WAG

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vorrätig

90+

$5.405

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Spezifikation

Artikelnummer

NGTB75N65FL2WAG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NGTB75N65FL2WAG.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A
Testbedingung

400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

23ns/157ns
Schaltenergie

610µJ (on), 1.2mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-4L
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

90ns
Leistung - max

536W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-4
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Field Stop
Gate-Ladung

310nC
detaillierte Beschreibung

IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
Strom - Collector Pulsed (Icm)

200A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

200A

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Das Folgende sind "NGTB75N65FL2WAG" -Einziper.

NGTB50N65S1WG

Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB50N60S1WG

Beschreibung: IGBT 50A 600V TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB75N65FL2WG

Beschreibung: IGBT 600V 75A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB60N60SWG

Beschreibung: IGBT 600V 120A 298W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB60N65FL2WG

Beschreibung: 650V/60A IGBT FSII

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Beschreibung: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB75N60FL2WG

Beschreibung: IGBT 600V 75A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB50N65FL2WG

Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB50N60L2WG

Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB75N60SWG

Beschreibung: IGBT 75A 600V TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTB50N60SWG

Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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