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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > NHPM120T3G
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2596043NHPM120T3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NHPM120T3G

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$0.117
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NHPM120T3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NHPM120T3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Powermite
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-216AA
  • Andere Namen
    NHPM120T3GOSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount Powermite
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Zahlung
Das Folgende sind "NHPM120T3G" -Einziper.
GP10BHE3/73

GP10BHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NHPV15S600G

NHPV15S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP620MFDT3G

NHP620MFDT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5551US

1N5551US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N4946

JANTX1N4946

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
NHP120SFT3G

NHP120SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3768

1N3768

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
NHPD660T4G

NHPD660T4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SBL845

SBL845

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 8A TO220AC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1PS59SB10,115

1PS59SB10,115

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMT3

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
MBR60100

MBR60100

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP220SFT3G

NHP220SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHPV08S600G

NHPV08S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHPM220T3G

NHPM220T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1D-E3/61T

RS1D-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-VSKE270-12

VS-VSKE270-12

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 270A MAGNAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FR1007-TP

FR1007-TP

Beschreibung: DIODE GPP FAST 10A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
NHPJ15S600G

NHPJ15S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHPJ08S600G

NHPJ08S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP140SFT3G

NHP140SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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