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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > NHPM220T3G
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6039037NHPM220T3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NHPM220T3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NHPM220T3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NHPM220T3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.05V @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Powermite
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-216AA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 2A Surface Mount Powermite
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "NHPM220T3G" -Einziper.
NHPV08S600G

NHPV08S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFAF1003G C0G

SFAF1003G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
NHPJ08S600G

NHPJ08S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP120SFT3G

NHP120SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP10THM3/54

GP10THM3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
NHPV15S600G

NHPV15S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHPJ15S600G

NHPJ15S600G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP140SFT3G

NHP140SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
R7012004XXUA

R7012004XXUA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 450A DO200

Hersteller: Powerex Inc.
vorrätig
RFQ
VS-21DQ06TB

VS-21DQ06TB

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N3267

1N3267

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 160A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
BAT46W-E3-18

BAT46W-E3-18

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MURH7060R

MURH7060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 70A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHPM120T3G

NHPM120T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP620MFDT3G

NHP620MFDT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-MBRB745TRLPBF

VS-MBRB745TRLPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 7.5A 45V D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RS1PDHE3/85A

RS1PDHE3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NHPD660T4G

NHPD660T4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP220SFT3G

NHP220SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
R7011003XXUA

R7011003XXUA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 300A DO200

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
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