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1159471NP1800SBT3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NP1800SBT3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP1800SBT3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    THYRISTOR 170V 80A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP1800SBT3G.pdf
  • Spannung - EIN-Zustand
    4V
  • Spannung - Aus-Zustand
    170V
  • Spannung - Kipp
    220V
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Anzahl der Elemente
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    80A
  • Strom - Haltestrom (Ih)
    150mA
  • Kapazität
    59pF

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Das Folgende sind "NP1800SBT3G" -Einziper.
NP180N04TUK-E1-AY

NP180N04TUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N055TUJ-E2-AY

NP160N055TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N04TUG-E1-AY

NP160N04TUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N04TUJ-E2-AY

NP160N04TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP180N04TUG-E1-AY

NP180N04TUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N04TUJ-E1-AY

NP160N04TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP180N055TUJ-E2-AY

NP180N055TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SCT3G

NP1800SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP180N055TUK-E1-AY

NP180N055TUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP180N04TUJ-E1-AY

NP180N04TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SAT3G

NP1800SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP1800SBMCT3G

NP1800SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP1800GBRLG

NP1800GBRLG

Beschreibung: THYRISTOR 170V 80A DO15

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP180N055TUJ-E1-AY

NP180N055TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP180N04TUJ-E2-AY

NP180N04TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N055TUK-E1-AY

NP160N055TUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N055TUJ-E1-AY

NP160N055TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SCMCT3G

NP1800SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP18-12FR

NP18-12FR

Beschreibung: BATTERY LEAD ACID 12V 17.2AH

Hersteller: EnerSys
vorrätig
RFQ
NP1800SAMCT3G

NP1800SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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