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2223862NP180N055TUK-E1-AY-Bild.Renesas Electronics America

NP180N055TUK-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP180N055TUK-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP180N055TUK-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263-7
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 mOhm @ 90A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta), 348W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    16050pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    294nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-7
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    180A (Tc)

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NP180N055TUJ-E2-AY

NP180N055TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SAT3G

NP1800SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP160N055TUJ-E1-AY

NP160N055TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N04TUJ-E2-AY

NP160N04TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP180N04TUJ-E2-AY

NP180N04TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SBMCT3G

NP1800SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP160N04TUG-E1-AY

NP160N04TUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SAMCT3G

NP1800SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP180N04TUJ-E1-AY

NP180N04TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP180N04TUG-E1-AY

NP180N04TUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N055TUK-E1-AY

NP160N055TUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP160N04TUJ-E1-AY

NP160N04TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SCT3G

NP1800SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP180N055TUJ-E1-AY

NP180N055TUJ-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800SCMCT3G

NP1800SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP1800SBT3G

NP1800SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 170V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP160N055TUJ-E2-AY

NP160N055TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1800GBRLG

NP1800GBRLG

Beschreibung: THYRISTOR 170V 80A DO15

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP180N04TUK-E1-AY

NP180N04TUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP18-12FR

NP18-12FR

Beschreibung: BATTERY LEAD ACID 12V 17.2AH

Hersteller: EnerSys
vorrätig
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