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1395384NSB13ANT3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13ANT3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSB13ANT3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 13V 21.5V SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NSB13ANT3G.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    13V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    21.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    14.4V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMB
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    27.9A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    1160pF @ 1MHz
  • Basisteilenummer
    NSB13A
  • Anwendungen
    General Purpose

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NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8ATHE3/45

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8BTHE3/45

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8BT-E3/81

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB4904DW1T1G

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB13211DW6T1G

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8DT-E3/45

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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