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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > NSB8ATHE3/81
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2678340NSB8ATHE3/81-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

NSB8ATHE3/81

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSB8ATHE3/81
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263AB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    NSB8A
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Beschreibung: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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