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3550703NSB9435T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB9435T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSB9435T1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NSB9435T1G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    30V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    720mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    110MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    125 @ 800mA, 1V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    3A

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Das Folgende sind "NSB9435T1G" -Einziper.
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB9703

NSB9703

Beschreibung: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Hersteller: Desco
vorrätig
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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