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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > NSB8MTHE3/81
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1545757NSB8MTHE3/81-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

NSB8MTHE3/81

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSB8MTHE3/81
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.NSB8MTHE3/81.pdf
    2.NSB8MTHE3/81.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263AB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    NSB8M

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Das Folgende sind "NSB8MTHE3/81" -Einziper.
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8JTHE3_A/P

NSB8JTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB9703

NSB9703

Beschreibung: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Hersteller: Desco
vorrätig
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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