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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > NSBA114TDXV6T1

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4774465

NSBA114TDXV6T1-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T1

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBA114TDXV6T1
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NSBA114TDXV6T1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

NSBA114TDXV6TOSTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

160 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

NSBA1*

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Das Folgende sind "NSBA114TDXV6T1" -Einziper.

NSBA114TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA113EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA115TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA123EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA115TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA113EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114TDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114YDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114YF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114YDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA114EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSB9703

NSB9703

Beschreibung: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Hersteller: Desco

vorrätig

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