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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > NSBC113EF3T5G

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NSBC113EF3T5G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC113EF3T5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBC113EF3T5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS DUAL NPN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSBC113EF3T5G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-1123
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

254mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-1123
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

3 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "NSBC113EF3T5G" -Einziper.

NSBA144TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EPDXV6T1

NSBC113EPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144WDXV6T1G

NSBA144WDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDXV6T1

NSBC114EPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144WDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDXV6T5G

NSBC114EDXV6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144WF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EDXV6T1G

NSBC113EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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