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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > NSBC113EPDXV6T1G

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6109853

NSBC113EPDXV6T1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSBC113EPDXV6T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSBC113EPDXV6T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

NSBC113EPDXV6T1GOSCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

3 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "NSBC113EPDXV6T1G" -Einziper.

NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDXV6T1

NSBC114EPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144WF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EPDXV6T1

NSBC113EPDXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDXV6T5G

NSBC114EDXV6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144WDXV6T1G

NSBA144WDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144WDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144TF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114TDP6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EPDXV6T5G

NSBC114EPDXV6T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC114EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBA144EF3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSBC113EDXV6T1G

NSBC113EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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