NSS12501UW3T2G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSS12501UW3T2G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSS12501UW3T2G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 400mA, 4A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

3-WDFN (2x2)
Serie

-
Leistung - max

875mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-WDFN Exposed Pad
Andere Namen

NSS12501UW3T2GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

150MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

200 @ 2A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

5A
Basisteilenummer

NSS12501

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NSS12501UW3T2G" -Einziper.

NSS12201LT1G

Beschreibung: TRANS NPN 12V 2A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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