NSS1C301ET4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSS1C301ET4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSS1C301ET4G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300mA, 3A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Leistung - max

2.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NSS1C301ET4G-ND
NSS1C301ET4GOSTR
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

120MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 120MHz 2.1W Surface Mount DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

3A

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Versand
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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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NSS1C201LT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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