Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > NSVB123JPDXV6T1G

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6513926

NSVB123JPDXV6T1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

NSVB123JPDXV6T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVB123JPDXV6T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "NSVB123JPDXV6T1G" -Einziper.

NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60100DMTWTBG

NSV60100DMTWTBG

Beschreibung: DUAL TRANSISTOR PNP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVBAS116LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVB124XPDXV6T1G

NSVB124XPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60601MZ4T1G

Beschreibung: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVBA114YDXV6T1G

NSVBA114YDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVBAS16TT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60101DMTWTBG

NSV60101DMTWTBG

Beschreibung: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV9435T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVB114YPDXV6T1G

NSVB114YPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVB144EPDXV6T1G

NSVB144EPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60600MZ4T1G

Beschreibung: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60200LT1G

Beschreibung: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60601MZ4T3G

Beschreibung: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60600MZ4T3G

Beschreibung: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVBAS16WT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSV60201LT1G

Beschreibung: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Nachricht Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.