NSVBC818-40LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVBC818-40LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 25V 0.5A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVBC818-40LT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

25V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Leistung - max

225mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

250 @ 100mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSVBC818-40LT1G" -Einziper.

NSVBC124EPDXV6T1G

Beschreibung: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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