NSVBC846BM3T5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVBC846BM3T5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVBC846BM3T5G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

65V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

SOT-723
Serie

-
Leistung - max

265mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

NSVBC846BM3T5G-ND
NSVBC846BM3T5GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 100MHz 265mW Surface Mount SOT-723
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

200 @ 2mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NSVBC846BM3T5G" -Einziper.

NSVBC124XPDXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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