NSVDTC113EM3T5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVDTC113EM3T5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVDTC113EM3T5G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-723
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

260mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

5 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

3 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSVDTC113EM3T5G" -Einziper.

NSVDTC144WET1G

Beschreibung: TRANS NPN 50V BRT SC75-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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