NSVDTC144WET1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVDTC144WET1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 50V BRT SC75-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVDTC144WET1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-75, SOT-416
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSVDTC144WET1G" -Einziper.

NSVF4009SG4T1G

Beschreibung: TRANS NPN 3.5V 40MA 4MCPH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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