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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > NSVIMD10AMT1G

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5439770

NSVIMD10AMT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVIMD10AMT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVIMD10AMT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

SURF MT BIASED RES XSTR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVIMD10AMT1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SC-74R
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

13 kOhms, 130 Ohms
Leistung - max

285mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

NSVIMD10AMT1G-ND
NSVIMD10AMT1GOSTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "NSVIMD10AMT1G" -Einziper.

NSVEMX1DXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF4015SG4T1G

Beschreibung: BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVMBT3904DW1T3G

NSVMBT3904DW1T3G

Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF6003SB6T1G

Beschreibung: RF TRANSISTOR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF2250WT1

Beschreibung: TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVM1MA141WAT1G

NSVM1MA141WAT1G

Beschreibung: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVMBD770DW1T1G

NSVMBD770DW1T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G

Beschreibung: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF4020SG4T1G

Beschreibung: RF TRANSISTOR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVM1MA152WKT1G

NSVM1MA152WKT1G

Beschreibung: DIODE SW 80V DUAL CC SC59-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVEMT1DXV6T5G

Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVJ3910SB3T1G

Beschreibung: IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF2250WT1G

Beschreibung: TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF4009SG4T1G

Beschreibung: TRANS NPN 3.5V 40MA 4MCPH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVMBD54DWT1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVJ3557SA3T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 15V 32MA SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVM1MA152WAT1G

NSVM1MA152WAT1G

Beschreibung: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF4017SG4T1G

Beschreibung: BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVJ2394SA3T1G

Beschreibung: IC JFET N-CH LNA SC59-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NSVF3007SG3T1G

Beschreibung: RF TRANSISTOR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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