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3706263NSVJ3910SB3T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVJ3910SB3T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NSVJ3910SB3T1G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id
    600mV @ 100µA
  • Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS)
    25V
  • Supplier Device-Gehäuse
    3-CPH
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Leistung - max
    400mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    NSVJ3910SB3T1G-ND
    NSVJ3910SB3T1GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    JFET N-Channel 25V 50mA 400mW Surface Mount 3-CPH
  • Aktuelle Drain (Id) - Max
    50mA
  • Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)
    20mA @ 5V
NSVMBT3904DW1T3G

NSVMBT3904DW1T3G

Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF4020SG4T1G

NSVF4020SG4T1G

Beschreibung: RF TRANSISTOR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVJ2394SA3T1G

NSVJ2394SA3T1G

Beschreibung: IC JFET N-CH LNA SC59-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVMBD770DW1T1G

NSVMBD770DW1T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVMBD54DWT1G

NSVMBD54DWT1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G

Beschreibung: BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVMMBD353LT1G

NSVMMBD353LT1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 7V SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF4015SG4T1G

NSVF4015SG4T1G

Beschreibung: BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF2250WT1G

NSVF2250WT1G

Beschreibung: TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVM1MA152WKT1G

NSVM1MA152WKT1G

Beschreibung: DIODE SW 80V DUAL CC SC59-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G

Beschreibung: RF TRANSISTOR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G

Beschreibung: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVM1MA141WAT1G

NSVM1MA141WAT1G

Beschreibung: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF4009SG4T1G

NSVF4009SG4T1G

Beschreibung: TRANS NPN 3.5V 40MA 4MCPH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 7V CC DUAL SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

Beschreibung: RF TRANSISTOR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVJ3557SA3T1G

NSVJ3557SA3T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 15V 32MA SC59

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVM1MA152WAT1G

NSVM1MA152WAT1G

Beschreibung: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVMMBD352WT1G

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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G

Beschreibung: SURF MT BIASED RES XSTR

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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