NSVMMBT6520LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVMMBT6520LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVMMBT6520LT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

350V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Leistung - max

225mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

NSVMMBT6520LT1G-ND
NSVMMBT6520LT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 500mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

20 @ 50mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSVMMBT6520LT1G" -Einziper.

NSVMMBT589LT1G

Beschreibung: TRANS PNP 30V 1A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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