NSVMMUN2112LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NSVMMUN2112LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSVMMUN2112LT1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

246mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

NSVMMUN2112LT1G-ND
NSVMMUN2112LT1GOSTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NSVMMUN2112LT1G" -Einziper.

NSVMMBT5401LT3G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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