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NTD18N06LT4G

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  • Artikelnummer
    NTD18N06LT4G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 9A, 5V
  • Verlustleistung (max)
    2.1W (Ta), 55W (Tj)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    NTD18N06LT4GOS
    NTD18N06LT4GOS-ND
    NTD18N06LT4GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    675pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Ta)
NTD18N06-1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD18N06LT4

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

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NTD20N06-1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD18N06L-1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

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NTD18N06T4G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

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NTD20N03L27

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

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NTD20N03L27G

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NTD18N06

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NTD18N06G

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NTD15N06T4

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

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NTD18N06L

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

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NTD20N06-001

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NTD20N03L27T4G

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NTD18N06L-001

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NTD20N06G

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NTD18N06LG

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NTD18N06-001

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NTD20N03L27-001

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