NTD20N03L27-001

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Spezifikation

Artikelnummer

NTD20N03L27-001
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

NTD20N03L27-001.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 10A, 5V
Verlustleistung (max)

1.75W (Ta), 74W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

NTD20N03L27-001OS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTD20N03L27-001" -Einziper.

NTD18N06LG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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