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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > NTD3813N-1G

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NTD3813N-1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3813N-1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTD3813N-1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTD3813N-1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.75 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

963pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

16V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

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Das Folgende sind "NTD3813N-1G" -Einziper.

NTD32N06L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD32N06L-001

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD32N06LG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3817NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD32N06L-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD40N03RT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD40N03R-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD32N06T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3813NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD32N06G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3808NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD40N03R-001

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 45A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD40N03RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3817N-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3808N-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD40N03RG

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3817N-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3813N-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD3808N-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTD32N06LT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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