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4364307NTD3817N-35G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3817N-35G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NTD3817N-35G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.9 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    702pF @ 12V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    16V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 16V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
NTD40N03RG

NTD40N03RG

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD3808N-35G

NTD3808N-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD32N06LG

NTD32N06LG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD32N06T4G

NTD32N06T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD3817NT4G

NTD3817NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD3813NT4G

NTD3813NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD40N03RT4G

NTD40N03RT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD4302G

NTD4302G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD3817N-1G

NTD3817N-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD4302T4

NTD4302T4

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD40N03RT4

NTD40N03RT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD4302

NTD4302

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD32N06LT4G

NTD32N06LT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD3808N-1G

NTD3808N-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD40N03R-001

NTD40N03R-001

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 45A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTD3813N-35G

NTD3813N-35G

Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD40N03R-1G

NTD40N03R-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

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NTD3813N-1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

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NTD3808NT4G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

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NTD4302-1G

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